فجوة رقائق الذاكرة الأسعار ترتفع والسوق تنقسم بين رابح وخاسر
43 مشاهدة
تتعمق أزمة شرائح الذاكرة العالمية وتزداد حدة والسبب هو خلل كبير في السوق ما بين العرض المحدود والطلب المتصاعد ووفقا لـغولدمان ساكس فإن هذا يهيئ بيئة تسعيرية قد تدفع الأرباح وهوامش الربح نحو أعلى مستوياتها وتشهد الشركات التي تعتمد كثيرا على مكونات الذاكرة من مصنعي أجهزة ألعاب الفيديو إلى ماركات أجهزة الكمبيوتر الشخصية وموردي الهواتف الذكية ضغوطا على أسهمها مع ارتفاع التكاليف وانخفاض هوامش الربح وفي الوقت نفسه يتمتع مصنعو رقائق الذاكرة بارتفاع قوي إذ وصلت أسعار الأسهم إلى مستويات قياسية وأدى الارتفاع الكبير في أسعار رقائق الذاكرة إلى إرباك الأسواق مع انقسام حاد بين الرابحين والخاسرين في سوق الأسهم ولا يرى المستثمرون أي نهاية في الأفق بحسب وكالة بلومبيرغ إذ تشهد شركات عديدة بدءا من شركة نينتندو لصناعة أجهزة ألعاب الفيديو وصولا إلى كبريات شركات تصنيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية وموردي شركة آبل انخفاضا حادا في أسهمها بسبب مخاوف تتعلق بالربحية في المقابل تشهد شركات تصنيع الذاكرة ارتفاعا غير مسبوق وانخفض مؤشر بلومبيرغ لشركات تصنيع الإلكترونيات الاستهلاكية العالمية بنسبة 12 منذ نهاية سبتمبر بينما ارتفعت أسهم شركات تصنيع الذاكرة بأكثر من 160 يكمن جوهر الأزمة في ما يسميه المحللون دورة فائقة للذاكرة ويشرح موقع تايمز ناو المتخصص أن الاستثمار الضخم في البنية التحتية للذكاء الاصطناعي أدى إلى تحويل طاقة الإنتاج نحو الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي المستخدمة في مراكز البيانات ما يترك إمدادات أقل متاحة لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية التقليدية وتطبيقات المستهلك ارتفعت أسعار ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية DRAM في السوق الفورية بأكثر من 600 خلال الأشهر الأخيرة على الرغم من استمرار ضعف الطلب على المنتجات النهائية كالهواتف الذكية والسيارات في الوقت نفسه تساهم تطبيقات الذكاء الاصطناعي في زيادة الطلب على ذاكرة NAND ما يرفع التكاليف في مختلف أنواع الذاكرة أدى هذا التحول إلى جعل شركات تصنيع الذاكرة من أبرز الشركات أداء في أسواق التكنولوجيا فقد ارتفعت أسهم شركة SK hynix وهي مورد رئيسي لشركة إنفيديا بأكثر من 150 منذ أواخر سبتمبر كما قفزت أسهم شركتي Kioxia Holdings اليابانية وNanya Technology التايوانية بنحو 280 بينما حققت أسهم Sandisk مكاسب تجاوزت 400 في نيويورك وفي شرح مبسط لهذه الشرائح فإن شرائح DRAM هي تلك المستخدمة في الكمبيوتر حاليا ليقوم بمهامه وهي سريعة جدا لكنها تمسح كل شيء بمجرد إطفاء الجهاز وتستخدم لتشغيل الويندوز والمتصفح والألعاب وكلما كبرت الـ DRAM يمكن فتح برامج أكثر على الجهاز أما ذاكرة التخزين NAND Flash فهي المكان حيث يجري تخزين الملفات والصور للأمد البعيد هي أبطأ من الـDRAM بكثير لكنها حافظة بحيث لا تمسح البيانات حتى لو فصلت الكهرباء عن الجهاز فيما الذاكرة عالية النطاق HBM هي النسخة المتقدمة من الـDRAM وهي عبارة عن طبقات فوق بعضها من الشرائح وموصولة مباشرة بالمعالج لتعطي سرعة كبيرة في نقل البيانات ولا تستخدم هذه الشريحة في الكمبيوترات العادية غالبا بل تستخدم في أجهزة الذكاء الاصطناعي ومراكز البيانات الضخمة التي تعالج كميات هائلة من المعلومات بلمح البصر أما شريحة SO CAMM المنقذ الذكي فهي جيل جديد من أغلفة الذاكرة وهي قطعة واحدة تقدم سرعة هائلة مثل الـ HBM تقريبا في نقل البيانات وبنفس الوقت يمكن تفكيكها عن الجهاز وتبديلها بسهولة وتستخدم في الأجهزة المحمولة النحيفة والقوية وتستهلك طاقة أقل بكثير من الرامات العادية وتعتبر أساسية في الأجهزة التي تعتمد على الذكاء الاصطناعي ويشرح المحلل جيوني لي من غولدمان ساكس في مذكرة بحثية نشرت على الموقع الإلكتروني لمؤسسة الخدمات المالية الأميركية أن رقائق الذاكرة وخاصة DRAM وNAND وذاكرة النطاق الترددي العالي HBM تتجه نحو واحدة من أكثر بيئات العرض والطلب ضيقا منذ أكثر من عقد يتوقع غولدمان ساكس الآن نقصا في المعروض من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية DRAM بنسبة 4 9 و2 5 على التوالي في الفترة 2026 2027 وهو أعلى بكثير من التوقعات السابقة ونقصا في المعروض من ذاكرة NAND بنسبة 4 2 و2 1 تعد ذاكرة الخوادم بما في ذلك ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية التقليدية وذاكرة SO CAMM وذاكرة HBM الآن المحرك الرئيسي للطلب العالمي على ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية ومع الانتشار القوي في خوادم الذكاء الاصطناعي ومراكز البيانات من المتوقع أن تشكل الذاكرة المتعلقة بالخوادم أكثر من 50 من إجمالي الطلب على ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية DRAM في عامي 2026 و2027 وبينما يستمر الطلب على الذاكرة المتعلقة بالخوادم في الارتفاع بحدة مع ازدياد اعتماد أحمال العمل في مراكز البيانات على الذاكرة فإن النمو المرتبط بأجهزة الكمبيوتر الشخصية والهواتف الذكية يتباطأ تحت ضغط ارتفاع تكاليف المكونات كما تتوقع مؤسسة غولدمان ساكس المصرفية الآن ارتفاع أسعار ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية التقليدية بنحو 176 على أساس سنوي في عام 2026 مع اقتراب متوسط أسعار البيع من مستويات قوية تاريخيا ومن المتوقع أيضا ارتفاع أسعار ذاكرة NAND وإن كان بوتيرة أبطأ إذ تتوقع الشركة ارتفاعا في الأسعار بنسبة تتراوح بين 100 و120 على أساس سنوي في عام 2026 بالإضافة إلى هوامش تشغيل قوية تتجاوز 40 لدى كبار المنتجين